。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KH
2012-10-24 08:02
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的
2012-07-06 15:56
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的
2012-07-04 17:14
实用晶闸管电路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT应用指南）
2007-09-30 20:59
在H桥电路中，载波频率和开关频率是两个重要的参数，它们对电路的性能有着显著的影响。
2024-05-12 17:27
场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于
2022-11-14 10:37
请问如何通过MOSFET上的导通时间tdon，上升沿时间tr，关断时间toff，下降沿时间tf 来确定 MOSFET 的开关频率大概是多少？
2019-01-09 18:29
GTR基板驱动电路性能的优劣台直接影响变换器的性能。采用性能优良的基极驱动电路．可以缩短GTR的开关时间．降低开关损耗，提高系统效率和
2010-05-05 08:47
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成
2022-11-16 08:00
器件，又称巨型晶体管或电力勗体管，简称GTR。它从本质上讲仍是晶体管，因而工作原理与一般晶体管相同。但是，由于它主要用在电力电子技术领域，电流容量大，耐压水平高，而且大多工作在开关状态，因此其结构
2018-01-25 11:27
