基于混合SET/MOSFET的比较器 据2001 年的国际半导体技术未来发展预示，到2016 年MOSFETs 的物理沟道长度将达到低于10nm 的尺寸[1]，而这种尺寸条件会影响到MOSFETs 的基本工作原理
2009-04-20 11:04
在现代电子技术中，双极型晶体管（BJT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是两种最常用的半导体器件。它们在放大、开关和数字逻辑电路中都有广泛的应用。尽管它们都用于控制电流流动，但它
2024-12-31 16:12
JFET的全称为结型场效应晶体管，MOSFET的全称为金属氧化物半导体场效应晶体管。耗尽型MOSFET与JFET均属于电压控制型场效应晶体管（FET），场效应晶体管通过电场来控制导电沟道的电导率
2023-11-07 14:36
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种场效应晶体管，这意味着它通过使用电场来控制电流。MOSFET 通常有三个端子：栅极、漏极和源极。漏极和源极之间传导的电流通过施加到栅极的电压进行控制
2023-05-24 11:19
开关电源(Switch Mode Power Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用
2009-04-27 12:04
沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal Solution for Energy Transfer）的缩写。对工程师来说
2021-04-09 09:20
据2001 年的国际半导体技术未来发展预示，到2016 年MOSFETs 的物理沟道长度将达到低于10nm 的尺寸[1]，而这种尺寸条件会影响到MOSFETs 的基本工作原理，因此必须寻找新的替代器
2009-04-24 11:31
NGTB20N60L2TF1G 应用笔记 [与超级结 MOSFET 的比较]
2022-11-15 19:25
Littelfuse P沟道功率MOSFETs，虽不及广泛使用的N沟道MOSFETs出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加， P沟道功率MOSFET的应用范围得到拓展。
2024-04-02 14:27
LLC 谐振转换器可用于各种应用，如消费电子产品，以及可再生能源应用，如光伏、风能、水力和地热等。本文提供了在 3KW 中建模的 Si 和 SiC MOSFET 的详细比较具有宽输入电压范围的半桥 LLC 转换器。
2022-07-29 09:44
