为精确估算高频工作状态下SiC MOSFET的开关损耗及分析寄生参数对其开关特性的影响，提出了一种基于SiC MOSFET的精准分析
2018-03-13 15:58
的方向，充分并迅速地了解供应商提供的仿真模型是否真实反映既定应用空间内的器件仍然是棘手的问题。 与竞争对手的模型不同，Fairchild的超级结MOSFET和IGBTSPICE
2019-07-19 07:40
MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30
本文介绍了MOSFET放大电路，及直流偏置及静态工作点的计算和小信号模型分析以及图解分析。 简单的共源极放大电路（N沟道）
2017-11-22 19:41
具有动态温度补偿的修正 MOSFET 模型
2022-11-15 20:07
就像我说的，我找不到 STD134NF7AG MOSFET 的 spice 模型。
2022-12-08 06:03
MOSFET失效原因全分析
2019-03-04 23:17
。 -其转换器的密度。与基于硅Si的IGBT相比，SiC MOSFET可以提供更快的开关速度和更低的功耗。这个因素使其能够以更高的开关频率工作，该开关频率估计为几百千赫兹。最终将提高功率转换器的电荷密度和效率[4] [5]。 与物理模型和香料
2021-05-18 16:50
根据MOSFET的简化模型，分析了导通损耗和开关损耗，通过典型的修正系数，修正了简化模型的极间电容。通过开关磁铁电源的实例计算了工况下
2011-11-14 16:46
功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时
2009-07-06 13:49
