的平方而增加。大多数MOSFET是N沟道增强型，即通常关断，需要大约12V的栅极驱动，这很容易由标准IC提供。最小阈值电压介于 1 至 4 V 之间，可提供高达 500 V 的 P 沟道增强型MOSFET
2023-02-20 16:40
来看一下整体的分类示意图。该图表示标准型AN系列的展开情况。例如，将AN系列进一步降低噪声后是EN系列，进一步提高速度后是KN系列。本篇介绍标准型和高速型的开发背景与特征。标准SJ-
2018-12-03 14:27
上一章基于ROHM的SJ-MOSFET产品阵容，以标准AN系列、低噪声EN系列、高速KN系列为例介绍了SJ-MOSFET的特征。本章将以SJ-MOSFET的trr速度更
2018-11-28 14:27
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些应用？
2021-07-09 07:45
器件相比，具有更低的导通电阻和更高的电压耐受能力。（图片来源：ROHM Semiconductor）标准硅 MOSFET 在高至 150°C 的温度条件下工作时，RDS(on) 导通电阻要高出 25
2017-12-18 13:58
情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET
2019-04-09 04:58
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等
2018-11-30 11:34
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 编辑 因能源效率标准和最终系统要求的推动，在不影响功率密度的高能的情况下，能缩减应用电源的外形尺寸且有效解决方案是当下电源设计人
2012-04-28 10:21
要点:・Hybrid MOS是兼备MOSFET和IGBT优势的新结构MOSFET。・同时具备MOSFET的高速性、在低电流范围的低损耗、IGBT在大电流范围的低损耗特性。・有利于提高家电的APF
2018-11-28 14:25
情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET
2019-05-07 06:21
