电压等于0的时候，漏极电流是等于0.其中JFET中栅级与衬底之间的PN结工作在反偏，当所有的讨论都是基于源级接地的电路时，当耗尽型
2019-04-08 03:57
和漏极相连接的都是重掺杂的N^+^区，以便更好地提供载流子。仔细观察，在MOSFET中，由于源极和体端相连接，从源极到漏极，即从体端到漏极还存在PN^+^
2024-06-13 10:07
平面式高压MOSFET的结构图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏
2018-10-17 16:43
。如下面的波形图所示，基本上超级结MOSFET的PN结面积比平面MOSFET大，因此与平面
2018-11-28 14:28
的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。测量SiC MOSFET栅-源电压：一般测量方法电源单元等产品中使用的功率开关器件大多都配有用来冷却的散热器，在测量
2022-09-20 08:00
l. PN结的形成(1)载流子的扩散运动用掺杂工艺在一块完整半导体中，一部分形成P型半导体，另一部分形成N 型半导体。那么，在两种杂质型半导体交界处两侧，P区的空穴（多子）浓度远 大于N区的空穴
2017-07-28 10:12
p-n结是半导体内部n型和p型半导体材料之间的界面或边界。固态电子学的关键之一是P-N结的性质。例如，PN结二极管是最简单的半导体器件之一，其特性是仅在一个方向上传递电
2023-02-08 15:24
CoolMOS，这种结构从学术上来说，通常称为超结型功率MOSFET。图3：内建横向电场的SuperJunction结构垂直导电N+区夹在两边的P区中间，当MOS关断时，形成两个反向偏置的PN
2017-08-09 17:45
是我们所说的pn结。p型和n型半导体接触后，在接触面，n型区的多子电子向p型区扩散，同时p型区的多子空穴也向n型区扩散，叫做载流子的扩散。这时在接触面的n型区留下了正电荷，在p型区留下了负电荷。两者正好
2016-11-29 14:52
运动。MOSFET的控制栅压作用于横跨绝缘层的沟道区，而不像结型场效应管那样横跨PN结。栅极用二氧化硅(SiO2)或氮化
2012-12-10 21:37
