康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源电压等于0的时候
2019-04-08 03:57
益通道TrAnsitor（DELTA）——一种新型垂直超薄SOI MOSFET）的论文。他们使用带有氧化层的SOI衬底，并以鳍片的形状在顶部对硅进行图案化（图10）。 图 10.三角形场效应管
2023-02-24 15:20
栅漏电流噪声特性是什么？栅漏电流噪声有哪几种模型？这几种模型具有什么特性和局限性？
2021-04-14 06:53
苏试宜特实验室通过扫描电镜看试样氧化层的厚度，直接掰开看断面，这样准确吗？通过扫描电镜看试样氧化层的厚度，如果是玻璃或陶瓷这样直接掰开看断面是可以的；如果是金属材料可能
2021-09-30 18:45
常见的栅漏电流噪声模型有哪几种，这几种模型的特性是什么？有什么局限性？
2021-04-09 06:44
，即使不加栅源电压，也会形成反型层和导电沟道，在此基础上加负向电压沟道电阻变小，加正向电压导电沟道变小，而且正向电压减小到一定程度反型层消失导电沟道消失。 场效应管分为结型场效应管和金属
2024-01-30 11:38
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24
在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提
2019-08-09 07:03
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00
什么是MOSFET管？由哪几部分组成？MOSFET的主要参数是什么？如何选型？
2022-02-23 06:57
