与亚微米工艺类似，栅氧化层工艺是通过热氧化形成高质量的栅氧化
2024-11-05 15:37
CMOS器件的等比例缩小发展趋势，导致了栅等效氧化层厚度、栅长度和栅面积都急剧减小。
2011-10-19 11:31
《工业级SiC MOSFET的栅极氧化层可靠性——偏压温度不稳定性（BTI）》 在正常使用器件时，由于半导体-氧化层界面
2021-01-12 16:09
和沟道的掺杂浓度也不断增加外，栅氧化层的厚度也不断降低，从而提高栅电极电容，达到提高栅对沟道的控制能力，同时调节阈值电压
2024-08-02 15:37
沟槽栅结构是一种改进的技术，指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小，与平面栅
2023-04-27 11:55
当核心区域和 I/O 区域都已经生长晶体管后，沉积多晶硅层（Poly-Si）和硬掩模层（薄的SiON和PECVD二氧化硅）。沉积栅叠
2022-12-08 09:53
CMOS器件的等比例缩小发展趋势，导致了栅等效氧化层厚度、栅长度和栅面积都急剧减小。对于常规体
2020-08-20 14:53
MOSFET的栅氧可靠性问题一直是制约其广泛应用的关键因素之一。栅氧层的可靠性直接影响到器件的长期稳定性和使用寿命，因此，如何有效验证SiC
2025-03-24 17:43
MOSFET的栅源振荡究竟是怎么来的呢？栅源振荡的危害什么？如何抑制或缓解栅源振荡的现象呢？ MOSFET（金属-
2024-03-27 15:33
继上一篇超级结MOSFET技术简介后，我们这次介绍下屏蔽栅MOSFET。
2024-12-27 14:52
