与亚微米工艺类似，栅氧化层工艺是通过热氧化形成高质量的栅氧化
2024-11-05 15:37
和沟道的掺杂浓度也不断增加外，栅氧化层的厚度也不断降低，从而提高栅电极电容，达到提高栅对沟道的控制能力，同时调节阈值电压
2024-08-02 15:37
摘要： 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表现出巨大的应用前景，其中金属-氧化物-场效应晶体管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC MOSFET 可应用于轨道交通和智能电网等
2024-01-04 09:41
和沟道的掺杂浓度也不断增加外，栅氧化层（Gate oxide）的厚度也在不断降低，从而提高栅电极电容，达到提高栅对沟道的
2024-01-19 10:01
MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。它是一种 FET（场效应晶体管），其栅极和沟道之间具有绝缘金属氧化物层。相反，JFET 的栅极与其沟道相连。绝缘
2024-02-27 17:36
为了有效抑制短沟道效应，提高栅控能力，随着MOS结构的尺寸不断降低，就需要相对应的提高栅电极电容。提高电容的一个办法是通过降低栅氧化
2025-05-26 10:02
氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅
2017-12-19 12:44
西安电子科技大学微电子学院周弘副教授总结了目前氧化镓半导体功率器件的发展状况。着重介绍了目前大尺寸衬底制备、高质量外延层生长、高性能二极管以及场效应晶体管的研制进展。同时对氧化镓低热导率特性的规避提供了可选择的方案，
2019-01-10 15:27
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。关于计算，栅电压(V)GATE_max) 总是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模块将总是能够在关闭状态下开关MOS(如果MOS没有损坏)。R33/R86的比例
2018-09-23 11:17
）电流产生的功耗。 从上述公式推导得出，三部分功耗中只有一个与MOSFET栅极电容充电和放电有关。 这部分功耗通常是最高的，特别在很低的开关频率时。为了计算公式 1 的值，需要知道 MOSFET 栅极电容。
2024-10-29 10:45
