氧化层？如何测试碳化硅MOSFET的栅氧可靠性？”让我们一起跟随基本半导体市场部总监魏炜老师的讲解，揭开这一技术领域的神秘面纱。
2025-01-04 12:37
运动。MOSFET的控制栅压作用于横跨绝缘层的沟道区，而不像结型场效应管那样横跨PN结。栅极用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)来绝缘。
2012-12-10 21:37
运动。MOSFET的控制栅压作用于横跨绝缘层的沟道区，而不像结型场效应管那样横跨PN结。栅极用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)来绝缘。
2012-01-06 22:55
和特性几乎是相同的，因此理论上相同面积和氧化层厚度的Si MOSFET和SiC MOSFET可以在相同的时间内承受大致相同的氧化
2022-07-12 16:18
】MOSFETBIPOLARIGBT基本结构控制栅极电压基极电流栅极电压容许电流✕△○开关○✕△导通电阻✕△○MOSFET是指半导体元件的结构为Metal（金属）- Oxide（半导体氧化物）- Semiconductor（半导体
2019-05-06 05:00
结构。在金属和P型半导体之间的黑色部分就是氧化物绝缘层。需要补充说明的是，在早期的MOS栅结构中，金属侧只能使用金属材料，而在现代的MOS栅结构中，金属几乎完全被重掺杂
2024-06-13 10:07
】MOSFETBIPOLARIGBT基本结构控制栅极电压基极电流栅极电压容许电流✕△○开关○✕△导通电阻✕△○MOSFET是指半导体元件的结构为Metal（金属）- Oxide（半导体氧化物）- Semiconductor（半导体
2019-03-27 06:20
苏试宜特实验室通过扫描电镜看试样氧化层的厚度，直接掰开看断面，这样准确吗？通过扫描电镜看试样氧化层的厚度，如果是玻璃或陶瓷这样直接掰开看断面是可以的；如果是金属材料可能
2021-09-30 18:45
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源电压等于0的时候
2019-04-08 03:57
的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。测量SiC MOSFET栅-源电压：一般测量方法电源单元等产品中使用的功率开关器件大多都配有用来冷却的散热器，在测量器件引脚间的电压时，
2022-09-20 08:00
