氧化层？如何测试碳化硅MOSFET的栅氧可靠性？”让我们一起跟随基本半导体市场部总监魏炜老师的讲解，揭开这一技术领域的神秘面纱。
2025-01-04 12:37
与亚微米工艺类似，栅氧化层工艺是通过热氧化形成高质量的栅氧化
2024-11-05 15:37
CMOS器件的等比例缩小发展趋势，导致了栅等效氧化层厚度、栅长度和栅面积都急剧减小。
2011-10-19 11:31
《工业级SiC MOSFET的栅极氧化层可靠性——偏压温度不稳定性（BTI）》 在正常使用器件时，由于半导体-氧化层界面
2021-01-12 16:09
和沟道的掺杂浓度也不断增加外，栅氧化层的厚度也不断降低，从而提高栅电极电容，达到提高栅对沟道的控制能力，同时调节阈值电压
2024-08-02 15:37
沟槽栅结构是一种改进的技术，指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小，与平面栅
2023-04-27 11:55
运动。MOSFET的控制栅压作用于横跨绝缘层的沟道区，而不像结型场效应管那样横跨PN结。栅极用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)来绝缘。
2012-12-10 21:37
运动。MOSFET的控制栅压作用于横跨绝缘层的沟道区，而不像结型场效应管那样横跨PN结。栅极用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)来绝缘。
2012-01-06 22:55
对超薄栅氧化物，采用软击穿（SBD）技术广泛研究，但没有完全集成到电路可靠性模拟。使用一个6T SRAM单元作为通用电路示例时间相关的SBD被纳入电路退化基于指数缺陷电流增长模型［1］进行分析。SRAM细胞稳定性因个体失效机制而退化为特征。
2021-03-29 09:42
当核心区域和 I/O 区域都已经生长晶体管后，沉积多晶硅层（Poly-Si）和硬掩模层（薄的SiON和PECVD二氧化硅）。沉积栅叠
2022-12-08 09:53
