• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
大家还在搜
  • MOSFET栅极电路常见的作用

    MOSFET是一种常见的电压型控制器件,具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、安全工作区域(SOA)宽等一系列的优点,因此被广泛的应用于开关电源、电机控制、电动工具等各行各业。

    2022-03-28 09:35

  • 功率开关MOSFET栅极驱动相关的损耗

    损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率的值。Qg请参考所使用的MOSFET的技术规格书。驱动器电压或者实测,或者参考IC的技术规格书。

    2020-04-05 11:52

  • 面向IGBT与MOSFET栅极驱动器

    随着新的应用领域和市场的出现,近年来全球电力需求猛增,使得节能成为设备设计的重要方面。这使得高效逆变器电路和转换器必不可少,特别是对于需要高功率转换的电源和驱动器。

    2022-07-27 10:58

  • 全新高集成三相电机MOSFET栅极驱动芯片

    TMC6140 是一款完全集成的通用三相 MOSFET 栅极驱动器,适用于 PMSM 伺服或 BLDC 电机。支持高达 100 A 电机电流的外部MOSFET。 三个底部分流放大器可以轻松检测电流并增强电机的换向。

    2022-03-23 13:56

  • 适配MOSFET栅极驱动器以驱动GaN FETs

    GaN FETs以其体积小、切换速度快、效率高及成本低等优势,为电力电子产业带来了革命性的变化。然而,GaN技术的快速发展有时超出了专门为GaN设计的栅极驱动器和控制器的发展。因此,电路设计师经常转向为硅MOSFETs设计的通用栅极驱动器,这就需要仔细考虑多个因素

    2024-02-29 17:54 深圳市浮思特科技有限公司 企业号

  • 碳化硅MOSFET栅极氧化层缺陷的检测技术

    碳化硅材料在功率器件中的优势碳化硅(SiC)作为第三代化合物半导体材料,相较于传统硅基器件,展现出了卓越的性能。SiC具有高禁带宽度、高热导率、高的击穿电压以及高功率密度特性。这些特性使得SiC器件在高效电能转换应用领域具有不可替代的优势,正逐渐成为功率半导体领域的主流选择。碳化硅器件的技术挑战尽管SiC器件性能优越,但其单晶和外延材料价格较高,工艺不成熟,

    2024-12-06 17:25 金鉴实验室 企业号

  • 承受现代IGBT/MOSFET栅极驱动器绝缘能力的最大功率限制

    对于IGBT/MOSFET驱动器电气过应力测试(EOS测试),设置了一个非常接近真实条件的电路。该电路包括适合功率范围为5 kW至20 kW的逆变器的电容器和电阻器。对于轴向型栅极电阻Rg,使用2 W额定功率金属电阻器。

    2022-12-22 15:59

  • ACPL-P349/W349评估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET栅极驱动器配置分析

    本手册概述了 ACPL-P349/W349 评估板的特性以及评估隔离式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 栅极驱动器所需的配置。需要目视检查以确保收到的评估板处于良好状态。

    2021-06-23 10:45

  • TMC6140 MOSFET栅极驱动器概述、性能及优势

    高度集成的TMC6140-LA有效简化高性能BLDC/PMSM驱动系统设计,效率提升30%。

    2022-03-04 14:44

  • MOSFET驱动器的功耗计算

    MOSFET驱动器功耗 MOSFET驱动器的功耗包含三部分: 由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。 由于 MOSFET

    2024-10-29 10:45