）电流产生的功耗。 从上述公式推导得出，三部分功耗中只有一个与MOSFET栅极电容充电和放电有关。 这部分功耗通常是最高的，特别在很低的开关频率时。为了计算公式 1 的值，需要知道
2024-10-29 10:45
在一周前看到在公众号“电机控制设计加油站”的一篇推文，“Why 100Ω? 较真的教授发现简单结论背后不简单的问题”（点击加黑文字可以跳转到该推文），对MOSFET管栅极为什么放置“一个约100Ω串联电阻”进行讨论。
2022-07-25 10:09
1、如果没有栅极电阻，或者电阻阻值太小 MOS导通速度过快，高压情况下容易击穿周围的器件。 2、栅极电阻阻值
2022-11-04 13:37
如果没有栅极电阻，或者电阻阻值太小MOS导通速度过快，高压情况下容易击穿周围的器件。
2022-10-27 09:41
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极
2019-07-03 16:26
对于IGBT/MOSFET驱动器电气过应力测试（EOS测试），设置了一个非常接近真实条件的电路。该电路包括适合功率范围为5 kW至20 kW的逆变器的电容器和电阻器。对于轴向型栅极
2022-12-22 15:59
在了解mos管栅极电阻的作用之前，我们先了解一下mos管栅极及其他2个极的基础知识。场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特
2022-09-27 15:29
