MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极
2019-07-03 16:26
TMC6140 是一款完全集成的通用三相 MOSFET 栅极驱动器，适用于 PMSM 伺服或 BLDC 电机。支持高达 100 A 电机电流的外部MOSFET。 三个底
2022-03-23 13:56
MOSFET驱动器功耗 MOSFET驱动器的功耗包含三部分： 由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。 由于 MOSFET
2024-10-29 10:45
在电力电子设计领域，IGBT和MOSFET作为关键的功率开关器件，其驱动电路的性能直接影响着整个系统的效率和可靠性。今天，我们就来深入探讨一下安森美（onsemi）推出的NCx57080y和NCx57081y系列高电流单通道IGBT/
2025-12-01 14:29
和发射极。为了工作MOSFET/IGBT，通常必须向栅极施加相对于器件源极/发射极的电压。专用驱动器用于向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。本文讨论这些
2023-01-30 17:17
损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率的值。Qg请参考所使用的MOSFET的技术规格书。驱动器电压或者实测，或者参考IC的技术规格书。
2020-04-05 11:52
忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压，当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时，可能会发生意想不到的正浪涌或
2021-06-12 17:12
MOSFET是一种常见的电压型控制器件，具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、安全工作区域(SOA)宽等一系列的优点，因此被广泛的应用于开关电源、电机控制、电动工具等各行各业。
2022-03-28 09:35
