MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它在电子电路中扮演着开关和放大器的角色。MOSFET由四个主要部分组成：源极（Source）、漏
2024-09-18 09:58
通过以下几个方面来解释： 1. MOSFET的基本结构和工作原理 MOSFET由四个主要部分组成：源极（Source）、漏极
2024-09-18 09:52
在各类电路图中，我们经常可以看到MOSFET在作开关时，其漏极和源极之间有一个寄生二极管，如图1所示。那么这个二
2023-11-14 16:04
开通和需要关断时需要一定的动态驱动功率。小功率MOSFET的Cgs一般在10-100pF之内，对于大功率的绝缘栅功率器件，由于栅极电容Cgs较大。一般在1-100nF之间，因而需要较大的动态驱动功率。更由于漏
2019-07-03 16:26
一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。
2019-06-19 15:13
在电路中常会遇到漏极开路（Open Drain）和集电极开路（Open Collector）两种情形。漏极开路电路概念中提到的“
2017-11-09 12:11
MOSFET有三个极，栅极、源级和漏极，由MOSFET构成的放大电路通常
2019-07-10 14:19
MOSFET，全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种电压控制的开关器件。它的工作原理是，通过在栅极施加电压，控制漏极和源
2024-01-03 17:13
忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压，当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时，可能会发生意想不到的正浪涌或
2021-06-12 17:12
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制器件，用作电源电路和电机驱动器等系统中的开关元件。栅极是每个设备的电气隔离控制端子。 MOSFET的其他端子是源极和
2023-01-30 17:17
