MOSFET 配合工作,可作为理想二极管整流器利用 20mV 正向压降实现低损耗反向保护。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压(例
2022-08-03 14:09 深圳市金和信科技有限公司 企业号
一 概述 DI-1nS-1n4148 可以测试反向恢复时间小于 350nS 的信号二极管,精度 0.1nS,尤其擅长测 试反向恢复时间小于 6nS 的高速信号二
2023-07-11 11:43 深圳艾克思科技有限责任公司 企业号
### 产品简介详述:VBsemi MOSFET型号 75345S-VB,采用TO263封装,是单通道N沟道MOSFET。其主要特性包括60V的漏极-源
2024-11-19 14:41 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详述:VBsemi MOSFET型号 75852G-VB,采用TO247封装,是单通道N沟道MOSFET。其主要特性包括150V的漏极-源
2024-11-19 14:56 微碧半导体VBsemi 企业号