MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52
的反向阻断和导通特性有明显的影响。 为分析和表述方便，定义栅极到源极（就是栅极到体端）的电压为UGS，漏
2024-06-13 10:07
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二
2023-05-16 14:33
两层电源板，板子设计中有4个MOSFET管串联，由于只有两层，四个MOSFET管的3个源级要过大电流，所以用铜连接在一起；四个MOSFET管栅极串联的线走在器件源级和
2018-07-24 16:19
MOSFET驱动电路中自举电容如何发挥作用？为何漏极48V导通后栅极就变成63V了？
2015-07-30 14:49
和漏极电荷Qgs：栅极和源极电荷栅极电荷测试的原理图和相关波形见图1所示。在测量电路中，
2017-01-13 15:14
电压。将这些式子结合起来，可得到MOSFET栅极驱动电压是漏源电压的函数：VGS=-(R2/R1)VDS二极管规格书下载：
2021-04-08 11:37
相反。由于其中存在可用的P型杂质，因此该MOSFET中的通道是预先构建的。一旦在栅极端施加负 (-) 电压，N型中的少数电荷载流子(如电子)就会被吸引到P型沟道。在这种情况下，一旦漏
2022-09-27 08:00
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和
2021-01-27 07:59
MOSFET输入电容，Rg为MOSFET的栅极电阻。 VGS电压从0增加到开启阈值电压VTH前，漏极没有电流流过，时
2025-02-26 14:41
