与亚微米工艺类似，栅氧化层工艺是通过热氧化形成高质量的栅氧化层，它的热稳定性和界面态都非常好。
2024-11-05 15:37
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个
2019-07-03 16:26
MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。它是一种 FET（场效应晶体管），其栅极和沟道之间具有绝缘金属氧化物层
2024-02-27 17:36
Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化
2013-07-31 15:08
和沟道的掺杂浓度也不断增加外，栅氧化层的厚度也不断降低，从而提高栅电极电容，达到提高栅对沟道的控制能力，同时调节阈值电压。栅氧化
2024-08-02 15:37
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用
2023-04-13 09:40
更高系统效率和功率密度，是现今数据和电信电源系统设计的首要目标。为达此一目的，半导体开发商研发出采用栅极屏蔽结构的新一代沟槽式金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET），可显著降低全负载及轻负载
2014-03-25 11:07
