随着电力电子技术的不断进步，碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐，成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分，栅极氧化
2025-01-04 12:37
苏试宜特实验室通过扫描电镜看试样氧化层的厚度，直接掰开看断面，这样准确吗？通过扫描电镜看试样氧化层的
2021-09-30 18:45
和特性几乎是相同的，因此理论上相同面积和氧化层厚度的Si MOSFET和SiC MOSFET可以在相同的时间内承受大致相
2022-07-12 16:18
的部分就是标准的采用Trench工艺的功率MOSFET。栅极被分割成上下两个部分，下部分用一些特殊的材料屏蔽起来，下部分在内部和上部分的栅极相连，而下部分栅极的屏蔽
2016-10-10 10:58
的寄生电容和以下的因素相关：• 沟道的宽度和沟槽的宽度• G极氧化层的厚度和一致性• 沟槽的深度和形状• S极体-EPI层的掺杂轮廓• 体二极管PN结的面积和掺杂轮廓高
2016-12-23 14:34
栅极端子连接的基板上，沉积了氧化层。由于该氧化层充当绝缘体（与基板绝缘），因此M
2023-02-02 16:26
MOSFET栅极电路常见的作用MOSFET常用的直接驱动方式
2021-03-29 07:29
运动。MOSFET的控制栅压作用于横跨绝缘层的沟道区，而不像结型场效应管那样横跨PN结。栅极用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)来绝缘。
2012-12-10 21:37
（CHANNEL）上的栅（GATE）来控制。按MOSFET的原意，MOS代表金属（METAL）－氧化物（OXIDE）－半导体（SEMICONDUCTOR），即以金属层（M）的栅
2019-06-14 00:37
的浓度远小于半导体中受主原子的浓度，此时栅极电压并没有改变整个器件的导电特性。当UGS大于开启电压UT时，氧化物绝缘层的下方P型半导体中出现强反型层，在反型中有n p
2024-06-13 10:07
