MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极
2019-07-03 16:26
许多需要精确控制时间的电子电路都使用晶体振荡器。下图所示的仅使用一个基于NAND栅极的CMOS 4011的简单晶体振荡器。电阻R1将栅极偏置为线性区域，电容C2和C3分
2023-04-08 10:02
损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率的值。Qg请参考所使用的MOSFET的技术规格书。驱动器电压或者实测，或者参考IC的技术规格书。
2020-04-05 11:52
TMC6140 是一款完全集成的通用三相 MOSFET 栅极驱动器，适用于 PMSM 伺服或 BLDC 电机。支持高达 100 A 电机电流的外部MOSFET。 三个底部分流放大器可以轻松检测电流并增强电机的换向。
2022-03-23 13:56
MOSFET是一种常见的电压型控制器件，具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、安全工作区域(SOA)宽等一系列的优点，因此被广泛的应用于开关电源、电机控制、电动工具等各行各业。
2022-03-28 09:35
碳化硅（SiC）MOSFET在电源和电力电子领域的应用越来越广泛。随着功率半导体领域的发展，开关损耗也在不断降低。随着开关速度的不断提高，设计人员应更加关注MOSFET的栅极驱动电路，确保
2025-06-24 09:20
栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET，JFET等，因为如MOSFET有个栅极电容，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压（VGS-TH）时
2020-01-29 14:18
更高系统效率和功率密度，是现今数据和电信电源系统设计的首要目标。为达此一目的，半导体开发商研发出采用栅极屏蔽结构的新一代沟槽式金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET），可显著降低全负载及轻负载
2014-03-25 11:07
MOSFET驱动器功耗 MOSFET驱动器的功耗包含三部分： 由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。 由于 MOSFET
2024-10-29 10:45
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制器件，用作电源电路和电机驱动器等系统中的开关元件。栅极是每个设备的电气隔离控制端子。 MOSFET的其他端子是源极和漏极，对于IGBT，它们被称为集电极
2023-01-30 17:17
