使用非官方程序，由于某些外设驱动在配置结构体时，未完全初始化所有成员，导致程序运行异常。以 FSMC 为例，FSMC_NORSRAMInitStructure 结构体共有 15 个成员，若
2023-10-20 06:59
的MOSFET从跨导的定义来说，由于ID不再增加，因此被定义为饱和区，但为什么又叫做放大区呢？问题分析：（1）可变电阻区表明MOSFET在一定的VGS电压下沟道已经完全
2016-12-21 11:39
，表明MOSFET沟道导通。当Vgs进一步增加，Rdson下降比较来缓，因为沟道完全导通，MOSFET
2016-10-10 10:58
没有问题。但是，当深入理解功率MOSFET的转移特性和温度对其转移特性的影响，就会发现，功率MOSFET的正温度系数只有在MOSFET进入稳态完全
2016-09-26 15:28
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计
2021-07-29 09:46
N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。必须清楚
2011-08-17 14:18
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 编辑 小弟在选择MOSFET型号，要求耐压300V左右，Id>7.5A，导通电阻越小越好，哪位大侠给推荐一款,万分感谢！
2012-08-17 15:19
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计
2021-10-28 10:06
和计算开关损耗，并讨论功率MOSFET导通过程和自然零电压关断过程的实际过程，以便电子工程师了解哪个参数起主导作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET开关损耗1，
2021-10-29 08:43
1 引言 MOSFET凭开关速度快、导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用。要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能，就必须设计一个适合应用的最优驱动电路和参数。在应用中
2021-07-27 06:44
