第四部第四讲讲解mosfet的开关过程，当Vgs大于开启电压时，Id与Vgs逐渐增大。当Id增大至所需最大电流时，平台电压形成，Vgs与Id成比例(未完全导通)。当mosfet
2018-10-24 14:55
MOSFET主要是N沟道增强型。 功率MOSFET的结构 功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体
2023-02-27 11:52
Arduino引脚为低电平时，MOSFET保持导通状态。如果后面的系统没有剩余电源（这里与电路无关），这是为Arduino本身提供电流。由于这个限制，这样的电路： 当arduino输入为低电平时，将
2018-08-23 10:30
和 管子 导通的关系 理解如下，不知 是否正确，还请前辈、大侠 指点（轻拍）：1. 当VGS(th)≥4.1V时，所有的此规格的MOSFET均导通 ；2. 当2.9V≤VGS(th)
2017-08-10 00:15
前言在半导体封装过程中，产品未完全充填是常见的失效模式之一 ，也是影响成品率的最主要的原因之一，造成产品出现未完全充填的原因有很多，如，模具（板）温度，充填树脂的流动性，注塑速度等等。在塑封设备上
2018-12-03 13:42
上面原理图是 用51单片机控制mosfet（NPN）开关的单相全波整流电路，整流桥采用的是IN4007二极管。焊接完毕后变压器上电，mosfet始终处于导通状态，无论单片机输出什么信号，即便是把
2019-01-23 11:17
菜鸟没有做过实际东西，最近有个想法，但仿真时发现Vs小于0时，虽Vds大于0，但MOSFET不受栅极控制，为什么会这样？有什么方法解决吗？希望各位说说自己的看法，感激不尽
2015-11-30 22:55
的MOSFET从跨导的定义来说，由于ID不再增加，因此被定义为饱和区，但为什么又叫做放大区呢？问题分析：（1）可变电阻区表明MOSFET在一定的VGS电压下沟道已经完全
2016-12-21 11:39
隔离光耦未打开时，输出高电平接近5V，但是导通后，却只拉低2.5V，怎么回事，P521光耦
2016-09-12 10:36
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开
2018-11-30 11:34
