`最近我在做D类放大。要放大1Mhz正弦波信号，比较用的三角波为10Mhz。需要开关频率能大于20Mhz的mosfet驱动器。请问mosfet驱动器的
2018-04-11 23:31
请问如何通过MOSFET上的导通时间tdon，上升沿时间tr，关断时间toff，下降沿时间tf 来确定 MOSFET 的开关频率大概是多少？
2019-01-09 18:29
毕设要求做一个脉冲发生器模拟局部放电脉宽需要达到纳秒级别我的想法是通过开关器件的高速开关来产生脉冲，然后用pwm芯片来控制开关管的导通现在的问题是，纳秒级别，也就是100MHz左右的
2016-04-21 16:01
AL9910通用高压高亮度LED驱动器的典型应用。 AL9910 / A高压PWM LED驱动器控制器为整流线电压范围为85VAC至277VAC的离线高亮度LED灯提供了有效的解决方案。 AL9910以高达300kHz的开关频率驱动外部
2019-10-15 06:06
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38
提供一些关键考虑因素。2MHz开关频率条件下工作时的第一个也是最重要的考虑因素是转换器的最小接通时间。在降压转换器中，当高侧MOSFET导通时，它在关闭前必须保持最小的导通时间。通过峰值电流模式控制
2022-11-15 07:30
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-06 15:56
。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右
2012-10-24 08:02
）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO<GTR<IGBT<MOSFET 另外，设计电路中选择功率器件不能只考虑频率，还有如
2012-07-04 17:14
。2MHz开关频率条件下工作时的第一个也是最重要的考虑因素是转换器的最小接通时间。在降压转换器中，当高侧MOSFET导通时，它在关闭前必须保持最小的导通时间。通过峰值电流模式控制，最小导通时间通常受电流检测
2019-07-26 04:45
