P0080S4BLRP 晶闸管浪涌保护器件 - TSPD SIDACtor Bi 6V 100A SOD123FL RoHSP0220S4BLRP晶闸管浪涌
2022-08-08 09:03 常州鼎先电子有限公司 企业号
IGBT模块动态特性测试系统STA3500电气配置高压源/VCC：1500V/3300V/5000V/10KV 高流源/IC：600A/1500A/3000A
2024-08-01 15:23 陕西天士立科技有限公司 企业号
晶体管动态特性测试系统STA1200基础信息高压源：1200V（选配2000V） 高流源：100A（选配200A/300A/500A） 驱动电压：±20V（选配
2024-08-01 15:12 陕西天士立科技有限公司 企业号
AD7911ARMZ 特性吞吐量：250 kSPS额定电压（VDD）：2.35 V至5.25 V低功耗： 4 mW（典型值，250 kSPS、3 V电源） 13.5 mW（典型值，250 kSPS
2024-03-25 11:29 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
可控硅门极特性测试仪SCRD12V基础信息测试对象：晶闸管及双向晶闸管测试参数：触发电流IGT触发电压VGT 维持电流IH 擎住电流IL 测试标准：《反向
2024-08-02 15:17 陕西天士立科技有限公司 企业号
AD7713ANZ 特性电荷平衡ADC- 24位无失码- ±0.0015%非线性度内置可编程滤波截止的低通滤波器读/写校准系数AD7713ANZ 双向微控制器串行接口3通道可编程增益
2024-03-25 11:44 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
AD7711ASQ是一款适合低频测量应用的完整模拟前端，可直接接受来自传感器的低电平信号，并产生串行数字输出。它采用Σ-Δ转换技术，可实现最高24位无失码性能。输入信号加在一个以模拟调制器为基础的专有可编程增益前端。调制器输出由片内数字滤波器处理。此数字滤波器的第一个陷波可通过片内控制寄存器进行编程，以便对滤波器截止和建立时间进行调整。该器件具有一个差分模拟
2024-03-25 11:27 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数，尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称
2024-06-05 11:16 武汉普赛斯仪表有限公司 企业号
AD1674TD/883B 特性完整的单芯片12位、10 µs采样ADC片上采样保持放大器工业标准引脚排列8位和16位微处理器接口交流和直流规格经过全面测试单极性和双极性输入输入范围：±5 V
2024-03-25 09:38 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
