电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与
2019-03-27 06:20
SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展，性能有望进一步提升。从下一篇开始，将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点，但SiC
2018-11-30 11:35
CMOS晶体管和MOSFET晶体管在电子领域中都扮演着重要角色，但它们在结构、工作原理和应用方面存在显著的区别。以下是对两者区别的详细阐述。
2024-09-13 14:09
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与
2019-05-06 05:00
。与普通的晶体管相比，MOSFET有着更低的输入电流、更高的输入阻抗、更大的增益和更小的功耗，广泛用于数字电路和模拟电路的放大、开关和控制应用。MOSFET的结构和原理
2023-02-25 16:24
本文将介绍双极型晶体管的基本结构。双极晶体管是双极型结型晶体管（BJT）的简称，在电力半导体中，也称作大功率晶体管（GT
2018-03-05 16:12
（一）晶体管的结构特性 1．晶体管的结构 晶体管内部由两PN
2006-05-25 22:35
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，
2013-08-17 14:24
电力晶体管的原理和特点是什么? 结构电力晶体管(GiantTransistor)简称GTR，结构和工作原理都和小功率
2010-03-05 13:43
本篇开始将为大家介绍“Si晶体管”。虽然统称为“Si晶体管”，不过根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理的电流、电压和应用进行
2018-11-28 14:29
