什么是沟道效应？ 沟道效应是指在晶体材料中，注入的离子沿着晶体原子排列较为稀疏的方向穿透得比预期更深的现象。
2024-02-21 10:19
当代所有的集成电路芯片都是由PN结或肖特基势垒结所构成：双极结型晶体管（BJT）包含两个背靠背的PN 结，MOSFET也是如此。结型场效应晶体管（JFET） 垂直于沟道
2025-05-16 17:32
短沟道效应严重制约了硅基晶体管尺寸的进一步缩小，限制了其在先进节点集成电路中的应用。开发新材料和新技术对于维系摩尔定律的延续具有重要意义。
2024-12-06 11:02
MOSFET的类型很多，按导电沟道可分为P沟道和N沟道；根据栅极电压与导电沟道出现的关系可分为耗尽型和增强型。功率场
2019-10-11 10:33
功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体），FET（FieldEffectTransistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着
2019-10-11 10:26
场效应管中，导电过程是多数载流子的漂移运动，故称为单极型晶体管；双极型晶体管中既有多子的扩散运动又有少子的漂移运动。
2019-09-13 11:04
场效应晶体管根据其结构的不同分类，体管（金属氧化物半导体型）两大类。可分为以下5种。可分为结型场效应晶体管与绝缘栅型场效应晶体管。
2020-09-18 14:08
硅晶体管的发展导致更多基于硅的晶体管的发明，例如金属氧化物半导体晶体管(MOSFET)。第一个 MOSFET由贝尔实验室
2022-08-05 12:52
本文首先将场效应管与晶体管进行了比较，然后说明了场效应管的应用领域，最后解释了场效应管的使用优势。
2019-08-14 14:28
本文开始介绍了晶体管的分类与场效应晶体管，其次分析了晶体管的重要性及作用，最后介绍了晶体管工作原理与晶体管的检测方法。
2018-02-01 09:18
