随着科学技术的发展,集成电路的集成密度不断地在提高,MOS晶体管器件的尺寸也逐年缩小, 当MOS管的沟道长度小到一定值之后,出现的短沟道效应将对器件的特性产生影响
2011-07-04 10:29
什么是沟道效应？ 沟道效应是指在晶体材料中，注入的离子沿着晶体原子排列较为稀疏的方向穿透得比预期更深的现象。
2024-02-21 10:19
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 编辑 场效应晶体管是一种改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，属于电压控制性半导体器件，具有输入电阻高，噪声小，功耗低，没有
2012-08-03 21:44
`功率场效应晶体管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10
场效应晶体管（英语：field-effecttransistor，缩写：FET）是一种通过电场效应控制电流的电子元件。它依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的
2019-05-08 09:26
功率场效应晶体管(MOSFET)原理 功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压
2009-04-25 16:05
在本文中，我们将探讨 MOSFET 和鳍式场效应晶体管的不同器件配置及其演变。我们还看到 3D 配置如何允许每个集成电路使用更多晶体管。 平面与三维 （3D） 平面MO
2023-02-24 15:20
本文探讨了鳍式场效应晶体管的结构、它们在各种应用中的用途，以及它们相对于 MOSFET 的优缺点。 什么是鳍式场效应晶体管？ 鳍式场效应晶体管是一种
2023-02-24 15:25
MOS管在绝缘栅型场效应管中，目前常用二氧化硅作金属铝（Al）栅极和半导体之间的绝缘层，称为金属一氧化物-半导体场效应晶体管，简称为MOSFET或者MOS
2023-02-10 16:27
`在传统MOSFET中，载流子从源极越过pn结势垒热注入到沟道中。而隧穿场效应晶体管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是带间隧穿
2018-10-19 11:08
