向下缩放时失去对漏电流的控制。 答案是利用第三个维度。 MOSFET晶体管从平面单栅极器件演变为多栅极3D单元，以增加电流驱动并减轻短通道效应。 使用3D还可以减
2023-02-24 15:20
MOSFET显示出令人反感的短通道效应。 将栅极长度（Lg）缩小到90 nm以下会产生明显的漏电流，而在28 nm以下，漏电流过大，使晶体管失效。因此，随着栅极长度的
2023-02-24 15:25
是Qgd，它描述了栅极漏极开关和开关关断时间关断所需的电荷。这两个参数指示关断能力和损耗，从而指示最大工作频率和效率。关断时间toff通常不显示在晶体管数据手册中，但可以根据参考书［1］在给定的开关电压
2023-02-27 09:37
双极性晶体管与MOSFET对比分析哪个好？
2021-04-20 06:36
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07
电压过冲提高系统可靠性。讨论了使用GaN晶体管时重要的布局寄生效应;即共源电感、高频功率环路电感和栅极环路电感。
2023-02-24 15:15
晶体管开关对电子产品至关重要。了解晶体管开关，从其工作区域到更高级的特性和配置。 晶体管开关对于低直流开/关开关的电子设备至关重要，其中晶体管在其截止或饱和状态下
2023-02-20 16:35
【不懂就问】图中的晶体管驱动电路，在变压器Tr的副边输出电阻R3上并联的二极管D2，说D2的作用是在输入端有正脉冲输入时使得变压器次级产生的的正脉冲通过D2，直接驱动MOSFET
2018-07-09 10:27
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37
