栅极（Gate）是晶体管的核心控制结构，位于源极（Source）和漏极（Drain）之间。其功能类似于“开关”，通过施加电压控制源漏极之间的电流通断。例如，在MOS管中，栅极
2025-03-12 17:33
晶体管的工作原理就像电子开关，它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关，晶体管类似于继电器，因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体
2023-03-25 10:40
晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解晶体管是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。
2022-04-26 12:02
硅晶体管的发展导致更多基于硅的晶体管的发明，例如金属氧化物半导体晶体管(MOSFET)。第一个 MOSFET由贝尔实验室
2022-08-05 12:52
本文介绍了多晶硅作为晶体管的栅极掺杂的原理和必要性。
2025-04-02 09:22
功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体），FET（FieldEffectTransistor场效应晶体管），即以金属层（M）的
2019-10-11 10:26
）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极（Base） 和集电极（Collector）;场效应晶体管
2018-03-01 15:37
达林顿晶体管（Darlington Transistor）也称为达林顿对（Darlington Pair），是由两个或更多个双极性晶体管（或其他类似的集成电路或分立元件）组成的复合结构。通过这种结构，第一个双极性晶体管
2024-02-27 15:50
本文开始介绍了晶体管的分类与场效应晶体管，其次分析了晶体管的重要性及作用，最后介绍了晶体管工作原理与晶体管的检测方法。
2018-02-01 09:18
绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种功率半导体，具有MOSFET 的高速、电压相关栅极开关特性以及 BJT 的最小导通电阻（低饱和电压）特性。
2024-02-27 16:08
