从7nm到5nm，半导体制程芯片的制造工艺常常用XXnm来表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工艺。所谓的XXnm指的是集成电路的MOSFET晶体管栅极
2021-07-29 07:19
电流时，即晶体管导通时的电压降，因此可通过该值求得导通时的电阻。MOSFET（图中以Nch为例）通过给栅极施加电压在源极与漏极间创建通道来导通。另外，栅极通过源极及漏极
2018-11-28 14:29
(sat)，这是集电极-发射极间的饱和电压。这是流过既定的集电极电流时，即晶体管导通时的电压降，因此可通过该值求得导通时的电阻。 MOSFET（图中以Nch为例）通过给栅极施加电压在源极与漏极间
2020-06-09 07:34
MOSFET的工作原理类似于BJT晶体管，但有一个重要的区别： 对于BJT晶体管，电流从一个基极到另一个发射极，决定了从集电极到发射极能流多少电流。 对于MOSFE
2022-06-01 14:55
向下缩放时失去对漏电流的控制。 答案是利用第三个维度。 MOSFET晶体管从平面单栅极器件演变为多栅极3D单元，以增加电流驱动并减轻短通道效应。 使用3D还可以减
2023-02-24 15:20
CMOS晶体管和MOSFET晶体管在电子领域中都扮演着重要角色，但它们在结构、工作原理和应用方面存在显著的区别。以下是对两者区别的详细阐述。
2024-09-13 14:09
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-05-06 05:00
MOSFET是一种金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的缩写，是一种用于电子电路中的半导体器件
2023-02-25 16:24
什么是绝缘栅极双极性晶体管 绝缘栅双极晶体管(IGBT)本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个P型层.根据国际电工委员会IEC/TC(CO)1
2010-03-05 15:49
SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展，性能有望进一步提升。从下一篇开始，将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点，但SiC-MOS
2018-11-30 11:35
