。与MOSFET同样能通过栅极电压控制进行高速工作，还同时具备双极晶体管的高耐压、低导通电阻特征。工作上与MOSFET相
2018-11-28 14:29
，而且在高温条件下的工作也表现良好，可以说是具有极大优势的开关元件。这张图是各晶体管标准化的导通电阻和耐压图表。从图中可以看出，理论上SiC-DMOS的耐压能力更高，可制作低导通电阻的晶体管。目前
2018-11-30 11:35
的复合结构。是为了利用MOSFET和双极晶体管的优点而开发的晶体管。与MOSFET同样能通过栅极电压控制进行高速工作，还
2020-06-09 07:34
1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，但是基极上的电流是无用的
2021-10-29 08:28
功率晶体管。》 工作频率按工作频率，晶体管可分为低频晶体管、高频晶体管和
2023-02-03 09:36
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-05-06 05:00
`功率场效应晶体管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的缩写，也叫场效应管，是一种由运算器的基础构成
2023-03-08 14:13
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-03-27 06:20
称为发射极-基极二极管或发射极二极管。集电极基极二极管，也称为集电极二极管，是集电极和基极之间的结点。五、PNP晶体管的
2023-02-03 09:44
