自关断器件及其驱动与保护电路实验 一、实验目的 (1) 加深理解各种自关断
2008-10-17 22:57
具有自关断能力的电力半导体器件称为全控性器件，全控型器件又称为自
2023-02-25 13:53
功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电力电子领域中的核心器件，其开通和关断过程原理对于理解其工作特性、设计高效电路以及确保系统稳定性至关重要。以下将对功率M
2024-10-10 09:54
MOSFET，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一种常见的电子器件。它是一种半导体器件，由
2023-08-04 15:24
新型功率器件MCT关断模型的研究 摘要：介绍了新型功率器件MCT（MOS控制晶闸管）的基本结构，工作原理。详细地探讨了MCT在
2009-07-07 10:39
，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢，因此仅限用于较低的工作频率。因此，硅 MOSFET 更适合低压、高频操作，而 IGBT 更适合高压
2023-10-18 16:05
IGBT的驱动电压一般都是15V，而SiC MOSFET的推荐驱动电压各品牌并不一致，15V、18V、20V都有厂家在用。更高的门极驱动电压有助于降低器件导通损耗，SiC MOSFET的导通压降对门
2024-05-13 16:10
门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor，简称GTO）是一种特殊的电力半导体器件，属于晶闸管的一种派生器件。它具备普通晶闸管的耐高压、电流容量大以及承受浪涌能力强等优点，同时
2024-05-27 15:14
GTO与普通晶闸管相比为什么可以自关断？为什么GTO可以关断普通晶闸管而不能呢？ GTO晶闸管相比普通晶闸管具有自关断功
2024-02-03 16:15
