门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor，简称GTO）是一种特殊的电力半导体器件，属于晶闸管的一种派生器件。它具备普通晶闸管的耐高压、电流容量大以及承受浪涌能力强等优点，同时
2024-05-27 15:14
（VLSI）设备采用的设计方式有极大的不同，它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET的器件原理图，传输特
2023-06-17 14:24
BJT 是一种电流控制型器件, 发射极e和集电极c传导的工作电流受基极b引入的较小电流的控制, 如等效电路所示, BJT受MOSFET漏极电流控制. 在IGBT关断td(off)和Δt 程中
2018-12-22 12:41
在带变压器的开关电源拓扑中，开关管关断时，电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分，同时，由于电路中存在杂散电感和杂散电容，在功率开关管关断时，电路中也会出现过电压并且产生振荡。如果尖峰
2017-12-07 09:41
对输入电容器放电，从而缩短开关时间，进而降低开关损耗。如果使用普通的 N 沟道器件，通过更低输出阻抗的 MOSFET 驱动器和/或负关断电压，可以增大放电电流。提高开关速度也能降低开关损耗，当然由于
2022-04-11 08:03
具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的行为不同。
2022-07-06 12:30
可关断晶闸管的结构和普通单向晶闸管一样，也是由PNPN四层半导体构成，外部也有三个电极，即门极G、阳极A和阴极K。普通单向晶闸管只构成一个单元器件，而可关断晶闸管则构成一种多元的功率集成
2021-01-07 15:11
MOSFET是一种半导体器件，属于可控硅器件，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它可以用来控制电流和电压。
2023-02-17 14:48
介绍了一种基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计与实现。该电路设计方案具有抗干扰能力强、响应速度快和通用性好的优点。通过试验验证了该方案的正确性和可行性。##在功率MOSFET保护电路输入
2014-04-25 11:15
晶体管耦合行为以关断电流。此类器件有个电流上限，称为最大可关断电流或最大可控制电流。当电流超过这一极限，欲施加更大的反向栅电流以关闭器件时，会引发p型基区与n⁺阴极导通
2024-01-17 09:42
