描述使用 NE555 和 Mosfet 调整脉冲宽度调制这是一个简单的电路，非常容易构建并且效率很高。有足够的空间安装散热器，您可能想使用 IRFZ44N 代替。PCB
2022-08-09 06:40
的时间。在此图中我们要计算的是上升沿到下降沿之间的时间，也就是t2-t1的区间。计数器值最大不超过0xffffffff，但是到达最大值只能记一次循环，然后再从0开始计数。时间总计数 = 溢出次数*0xffffffff+TIM5CH1_CAPTURE_VAL本次实验我们要获取到KEY_UP的高电平
2022-01-06 07:59
率MOSFET、查阅产品数据表的时候，看到前面好几个电流的定义：连续漏极电流ID、IDSM、脉冲漏极电流IDM、雪崩电流IAS的额定值，记得当时作者就看得云里雾里、一脸茫然，后来一直想弄明白这些电流的定义
2016-08-15 14:31
关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个
2011-08-17 14:18
电视信号在传输过会造成失真，为了使脉冲波形恢复原样，接收机里就要用箝位电路把波形顶部箝制在某个固定电平上。 图 8 中反相器输出端上就有一个箝位二极管 VD 。如果没有这个二极管，输出脉冲高
2013-12-16 21:51
MOSFET教程
2020-05-24 09:22
电机驱动设计中MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计相关文章资料，大家可以看看，对大家很有帮助！
2021-03-29 16:18
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件
2017-09-22 11:44
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 编辑 N沟道MOSFET PowerTrench®[N-Channel PowerTrench® MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23
· RDS（ON）这条斜线的斜率就是1/RDS（ON）。以前论述过功率MOSFET数据表中RDS（ON）的特性和测试条件，在不同的温度以及在不同的脉冲电流及脉冲宽度条件下，RDS（ON）的值都会
2016-10-31 13:39
