MOSFET 晶体管是可以电压驱动电流。常用的是N沟道MOSFET，P沟道的制作成本高。简单功率MOSFET电机控制器。
2021-09-13 08:27
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1：BVDSS测试电路功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层
2016-09-06 15:41
讨论如何根据RDS（ON）、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，
2011-08-17 14:18
电流、电压有交错，于是就产生了开关损耗，因此MOSFET在开关过程中，跨越放大区是产生开关损耗最根本原因。有些应用如热插拨、负载开关等，通过人为地增加放大区时间来控制回路浪涌电流，以后会专门介绍
2016-12-21 11:39
工程师习惯性的认为：如果VGS尖峰电压大于功率MOSFET的阈值电压VTH，下管就会导通，那么上、下管就会产生直通，也就是所谓的Shoot Through，从而导致开关管的损坏。VTH，功率
2016-11-08 17:14
用N-CH的MOSFET来进行BUCK电路控制的方法
2019-04-03 16:21
为什么MOSFET只加驱动电压10V左右就开始发热，请各位大神给予意见，谢谢！！
2013-05-16 19:48
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET
2016-10-10 10:58
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计
2021-07-29 09:46
概述 FM7318A是内置高压功率MOSFET的电流模式PWM控制芯片，适用于全电压18W离线式反激开关电源，具有高性能、低待机功耗、低成本的优点。 为了保证芯片正常工作，FM7318A针对
2020-07-06 10:57
