是否有白皮书明确规定了如何使用 MosFET 开启特性来抑制浪涌电流？ 设计类似于 TLE9853 评估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。 通过模拟感性负载，我们 CAN 控制电流
2024-01-29 07:41
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源电压等于0的时候
2019-04-08 03:57
，几乎没有开关特性的温度依存性。图3: 开关温度特性关于MOSFET的VGS(th)(界限値)关于MOSFET的VGS(th)MOSFET开启时，GS (栅极、源极)
2019-04-10 06:20
mosfet没有上电时，mosfet驱动电压很正常，mosfet上电后，mosfet的驱动
2019-03-05 09:53
描述DC-DC 转换器 33-42 Vin/12V, 5A 输出该项目最初旨在为驱动 BLDC 电机的半桥开启高端和低端 MOSFET。最好将此设计与栅极驱动器连接。PCB+展示
2022-08-09 06:31
第四部第四讲讲解mosfet的开关过程，当Vgs大于开启电压时，Id与Vgs逐渐增大。当Id增大至所需最大电流时，平台电压形成，Vgs与Id成比例(未完全导通)。当
2018-10-24 14:55
谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58
电路设计如图；问题：MOSFET测量栅极有开启电压+3.6V，漏极电压+12V，但是源极电压测量为+1V;分析：有可能是
2019-09-11 14:32
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层的外延层epi厚度N-决定。功率MOSFET的N+源极和P-体区形成的结
2023-02-20 17:21
我现在有一款FPGA的芯片需要供电，核电压Vcc=1.2V，参考电压Vccx和Vccio=3.3V,现在芯片上电顺序要求核电压Vcc先开启，2ms之后再
2019-03-26 09:43
