谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58
` 谁来阐述一下mosfet是什么型器件？`
2019-10-25 16:06
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与
2019-05-07 06:21
1. 器件结构和特征 Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型
2023-02-07 16:40
引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极性三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控
2023-02-10 15:33
器件。一旦在MOSFET的栅极端施加电压，源极沟道的漏极电阻将变得更大。当栅源电压增加更多时，从漏极到源极的电流将减少，直到电流从漏极到源极的流动停止。耗尽
2022-09-13 08:00
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽
2019-04-08 03:57
”—操作龙头的“手”就是基极电流。双极型三极管因此就是电流受控的器件。 场效应三极管(FET)尽管结构上不同，但是，提供相同的“龙头”功能。差异在于：FET 是电压受控器件
2025-06-03 15:39
大部分功率 MOSFET 都是增强型的。（可能因为实际的制作工艺无法达到理论要求吧，看来理论总是跟实际有差距的，哈哈）MOSFET 是电压控制
2019-11-17 08:00
能力跟栅极电压有关，栅极电压越高，沟道的宽度和导电能力越强。可以认为，当栅极小于开启电压UT时，没有沟道形成。所以在MOSFET栅极零偏置时，
2024-06-13 10:07
