谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58
` 谁来阐述一下mosfet是什么型器件？`
2019-10-25 16:06
的情况。在亚阈值区，MOSFET器件的电流呈指数增长的特性，而非线性关系。 MOSFET中的阈值电压是通过器件的制造工艺
2024-03-27 15:33
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与
2019-05-07 06:21
1. 器件结构和特征 Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型
2023-02-07 16:40
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽
2019-04-08 03:57
。 电压驱动型电力电子器件的工作原理 电压驱动型电力电子器件的工作原理是
2024-07-17 15:23
（VLSI）设备采用的设计方式有极大的不同，它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET的器件原理图，传输特
2023-06-17 14:24
引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极性三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控
2023-02-10 15:33
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种单极型半导体器件。 MOSFET的基本概念 MOSFET是一种利用电场
2024-07-14 11:37
