首先，是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。
2023-08-06 10:49
带保护环的SiC屏蔽DMOSFET的模拟 A.Kanale和B.J.Baliga，“加强短路电流抑制方法的比较”1.2kV SiC功率MOSFET的性能研究：一种采用串联门极器件的新方法源
2023-02-06 14:40
随着新能源汽车、光伏、充电桩等应用对系统效率的不断追求，SiC 功率半导体市场将迎来前所未有的增速。
2023-11-07 11:07
多年前，Rudy Severns曾参加国际整流器(International Rectifier，IR)的巡回演讲，讨论了该公司的Hexfets功率MOSFET。当时这条产品线还相当新，根据笔者
2020-10-24 09:27
)。SUNY理工学院的电力电子制造联盟准备利用这种增长，因为它使用150 mm SiC晶片(4，5)为1200 V功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)增加了中等产量。这个斜坡提供了一个机会来描述阻碍SiC MOSFETs批量生产的开发问题，包括成本、吞吐量、产量和可靠性的风险。如果这
2022-06-17 15:30
据外媒报道，美国威斯康星大学麦迪逊分校（UW Madison）的研究人员们，已经同合作伙伴联手实现了一种突破性的方法。不仅大大简化了低成本高性能、无线灵活的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的制造工艺，还克服了许多使用标准技术
2016-04-30 10:04
）的问题，这是让万千工程师们比较头痛的一件事。如果电磁干扰非常严重的话，会导致产品的故障率直线上升，造成不可估量的损失。那么如何降低MOSFET的尖峰电压呢？ 东芝为了解决MOSFET引起尖峰电压的问题，采用最新一代（数据截止于2021年1月）
2021-11-26 15:08
本文通过图文并茂的方式生动展示了MOSFET晶体管的工艺制造流程，并阐述了芯片的制造原理。 MOSFET的工艺流程 芯片制造
2024-11-24 09:13
半导体逆全球化发展趋势明显，成熟制程芯片国产替代迎来难得的窗口期。又逢能源改革和国产电动汽车产业飞速发展的历史机遇，以MOSFET为代表的功率器件将率先开启国产替代加速的进程。预计至2026年MOSFET国产替代比例将超过60%。
2022-08-19 11:48
