首先，是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。
2023-08-06 10:49
带保护环的SiC屏蔽DMOSFET的模拟 A.Kanale和B.J.Baliga，“加强短路电流抑制方法的比较”1.2kV SiC功率MOSFET的性能研究：一种采用串联门极器件的新方法源
2023-02-06 14:40
介绍了SIC碳化硅材料的特性，包括材料结构，晶体制备，晶体生长，器件制造工艺细节等等。。。欢迎大家一起学习
2023-03-31 15:01
推动节能转换。 通过这种推动，RDSon值在低mΩ范围内的硅MOSFET成为低压器件的熟悉事物，但MOSFET的阻断电压越高，RDSon就越高。由于RDSon如此之高，这些器件仍然不适合高电压和高功率
2023-02-24 15:03
随着新能源汽车、光伏、充电桩等应用对系统效率的不断追求，SiC 功率半导体市场将迎来前所未有的增速。
2023-11-07 11:07
多年前，Rudy Severns曾参加国际整流器(International Rectifier，IR)的巡回演讲，讨论了该公司的Hexfets功率MOSFET。当时这条产品线还相当新，根据笔者
2020-10-24 09:27
引言 碳化硅(SiC)器件制造技术与硅制造有许多相似之处，但识别材料差异是否会影响清洗能力对于这个不断发展的领域很有意义。材料参数差异包括扩散系数、表面能和化学键强度，所有这些都可以在清洁关键表面
2023-02-20 16:04
)。SUNY理工学院的电力电子制造联盟准备利用这种增长，因为它使用150 mm SiC晶片(4，5)为1200 V功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)增加了中等产量。这个斜坡提供了一个机会来描述阻碍SiC MOSFETs批量生产的开发问题，包括成本、吞吐量、产量和可靠性的风险。如果这
2022-06-17 15:30
前面说了这么多的芯片制造以及一些工艺。我们讲接一下芯片的最基本的单元MOSFET。芯片最底层的原理二进制运算，所以我们要用最基本的电子元件来模拟1和0，通电为1，不通电为0。接下来我们就介绍一下可以
2023-02-14 15:15
据外媒报道，美国威斯康星大学麦迪逊分校（UW Madison）的研究人员们，已经同合作伙伴联手实现了一种突破性的方法。不仅大大简化了低成本高性能、无线灵活的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的制造工艺，还克服了许多使用标准技术
2016-04-30 10:04
