谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58
` 谁来阐述一下mosfet是什么型器件？`
2019-10-25 16:06
了漂移区的掺杂浓度从而降低耐压吗？2、为什么电场由三角形变为梯形可以只需较薄的漂移区就可以提升耐压？3、为什么单极型的MOSFET没有FS层，而双极型的FRD和IGBT都有用到场截止层？为什么
2020-02-20 14:26
，简称场效晶体管。内部结构（以N-MOSFET为例）如下图所示。在P型半导体衬底上制作两个N+区，一个称为源区，一个称为漏区。漏、源之间是横向距离沟道区。在沟道区的表面上，有一层由热氧化生成的氧化层作为
2023-02-10 15:33
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与
2019-05-07 06:21
1. 器件结构和特征 Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。 IGBT
2023-02-07 16:40
的“热点”特性！这种自冷却机制的同等重要的结果是便于并联 MOSFET 以提升某种器件的电流性能。双极型三极管对于并联非常敏感，要采取预防措施以平分电流(发射极稳定电阻、快速响应电流感应反馈环路
2025-06-03 15:39
2023年8月1日，九峰山实验室6寸碳化硅（SiC）中试线全面通线，首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线。实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。
2023-08-11 17:00
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种单极型半导体器件。 MOSFET的基本概念 MOSFET是一种利用电场
2024-07-14 11:37
（VLSI）设备采用的设计方式有极大的不同，它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET的器件原理图，传输特
2023-06-17 14:24
