`全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出内置有2枚耐压±40V和±60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx
2021-07-14 15:17
PNP双极型晶体管的设计
2012-08-20 08:29
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 编辑 双极型制作工艺
2012-08-20 07:51
，如下图所示。(a)：双栅极结构G极不加电压单G极加电压双G极加电压(b)：导通沟道图4：双栅极结构及导通沟道双栅极结构形成二个沟道，减小沟道的导通电阻，增强了通流的能
2017-01-06 14:46
和滤波器等模拟电路。MOSFET的设计主要是为了克服FET的缺点，例如高漏极电阻、中等输入阻抗和运行缓慢。按照形式划分，MOSFET有增强型和耗尽
2022-09-13 08:00
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏
2019-04-08 03:57
称为四端器件，实际上那个体端一般跟源极相连接，所以在此还是将MOSFET看成三端器件。N沟道增强型MOSFET的图形符号
2024-06-13 10:07
功率晶体管组成，如双极型晶体管、 MOSFET 或绝缘栅双极
2021-09-17 07:19
绝缘栅双极型晶体管检测方法
2009-12-10 17:18
双极型晶体管工作原理
2012-08-20 08:53
