（VLSI）设备采用的设计方式有极大的不同，它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET的器件原理图，传输特
2023-06-17 14:24
IGBT及MOSFET隔离驱动为可靠驱动绝缘栅器件，目前已有很多成熟电路。当驱动信号与功率
2021-02-08 17:38
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。本文探讨
2016-12-15 16:00
在现代电子技术中，MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种关键且广泛使用的电子器件。耗尽
2024-05-12 17:19
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损
2024-10-16 13:52
MOSFET驱动器功耗 MOSFET驱动器的功耗包含三部分： 由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。 由于
2024-10-29 10:45
、全控型器件和不可控型器件，其中晶闸管为半控型器件，承受电压和电流容量在
2019-07-02 16:52
晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同，可以分为N沟道-增强型MOSFET、N沟道-耗
2023-11-07 14:51
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现
2019-12-09 13:58
损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率的值。Qg请参考所使用的MOSFET的技术规格书。驱动器电压或者实测，或者参考IC的技术规格书。
2020-04-05 11:52
