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  • 功率器件SJ-MOSFET产品的优势及应用

    晶圆工艺: 采用2.5代深槽( Deep-Trench )超结工艺 ,更少的光罩层数,生产周期更短,更具成本优势 低内阻: 特殊的超结结构让高压超结MOS内阻在同样面积情况下降低到VDMOS的1/3-1/5 更高效率: 较高的轻载,满载效率,超低的导通内阻,有效的降低导通、开关损耗 低温升: 较低的功耗,有效的降低电源整体的工作温度,延长电源的使用寿命 易用性: 使用过程中简单易用,驱动电流需求小,对新一代高速开关电源提供有力的支持 应用范围广: 适宜于对系统效率有更高要求的照明应用、各类电源、适配器及智能手机、平板电脑充电器中,以及大功率充 电桩, LED电源、通讯、服务器电源等

    2025-12-02 08:02

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