本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用，分析了MOSFET损耗特点，提出了优化方法；并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。
2015-09-18 14:33
损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率的值。Qg请参考所使用的MOSFET的技术规格书。驱动器电压或者实测，或者参考IC的技术规格书。
2020-04-05 11:52
MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗，这些损耗可以分为两类。
2023-03-26 16:18
电源设计工程师在选用 Power MOSFET 设计电源时，大多直接以 Power MOSFET 的最大耐压、最大导通电流能力及导通电阻等三项参数做出初步决定。但实际上，MOSFET/IGBT
2024-01-20 17:08
利用仿真技术验证了由于源极LSource生成反电动势VLS，通过MOSFET的电压并不等于全部的驱动电压VDRV。MOSFET导通时3引脚封装的反电动势VLS、栅极-源极VGS波形如下图所示。图中用圆圈突出显示的部分是LSource的实际电压。
2018-03-30 16:21
铁路牵引变流器作为轨道交通车辆动力系统的核心部件，正朝着高可靠性、高功率密度和高效率方向发展。目前IGBT仍是铁路牵引领域的主流功率半导体器件，但是SiC MOSFET模块的应用正在加速。本文重点介绍三菱电机SiC MOSFET模块的高功率密度和低
2025-09-23 09:26
一个高质量的开关电源效率高达95%，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量开关器件的损耗，对于效率分析是非常关键的。那我们该如何准确测量开关
2019-06-27 10:22
上式给出了SMPS 中MOSFET 传导损耗的近似值，但它只作为电路损耗的估算值，因为电流线性上升时所产生的功耗大于由平均电流计算得到的功耗。对于“峰值”电流，更准确的计算方法是对电流峰值和谷值(图3 中的IV 和I
2018-09-25 14:22
一个高质量的开关电源效率高达95%，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量开关器件的损耗，对于效率分析是非常关键的。
2019-07-31 16:54
