开关管MOSFET的功耗分析MOSFET的损耗优化方法及其利弊关系
2020-12-23 06:51
如何更加深入理解MOSFET开关损耗？Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响？
2021-04-07 06:01
产生的。传导损耗与占空比有直接关系。当电流较高一侧的MOSFET打开后，负载电流就会从其中通过。漏源通道电阻(RDSON)产生的功率耗散可以用公式1表示：其中D == 占空比对于LM2673这样的非同
2018-08-30 14:59
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33
MOSFET中的开关损耗为0.6 mJ。这大约是IGBT测量的2.5 mJ的四分之一。在每种情况下，均在 800 V、漏极/拉电流 10 A、环境温度 150 °C 和最佳栅极-发射极阈值电压下进行测试（图
2023-02-22 16:34
的图像。图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到
2018-08-30 15:47
本帖最后由 小小的大太阳 于 2017-5-31 10:06 编辑 MOS管的导通损耗影响最大的就是Rds，而开关损耗好像不仅仅和开关的频率有关，与MOS管的结电容，输入电容，输出电容都有关系吧？具体的关系是什么？有没有具体计算开关
2017-05-31 10:04
小弟最近在计算某个MOSFET模块的损耗，想用PLECS建模分析一下，求教大神如何对MOSFET建模，如何把产品data sheet里的数据信息加进去呢，老师催的急，希望大神不吝赐教，小弟感激不尽
2016-06-15 10:45
我用IGBT设计了D类功放，用的管子是FGH60N60SFD，开关频率为300kHz，上网查资料发现IGBT的开关损耗为图中公式，查找FGH60N60SFD文档后计算开关损耗为300000*2.46/1000/3.1
2019-07-25 10:16
本半导体制造商罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗
2019-03-18 23:16
