虽然如今设计的典型工业级IGBT可以应付大约10μs的短路时间，但SiC MOSFET几乎没有或者只有几μs的抗短路能力。这常常被误以为是SiC
2021-01-26 16:07
通常采用MOSFET饱和的短路电流，使用单脉冲持续的时间来评估功率MOSFET抗短路冲击的性能。从图3的应用测试波形可以
2018-04-25 09:00
针对变压器抗短路能力不足的问题，可以采取以下措施来提高其抗短路能力： 一、设计与制造方面的措施 改进设计 ： 制造商应优化变压器的设计，考虑提高其机械强度和
2024-10-08 15:57
SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充电桩及太阳能逆变器等高频应用中日益得到重视。因为SiC MOSFET开关频率高达几百K赫兹，门极驱动的设计在应用中就变得格外关键。因为在短路
2023-06-01 10:12
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承诺短路能力，有少数在数据手册上标明短路能力的几家，也通常把短路
2023-12-13 11:40
在此对功率MOSFET的SEB效应的机理进行了简单分析，并针对600 V平面栅VDMOSFET，利用半导体器件模拟软件Medici研究了缓冲层对提高MOSFET抗SEB能力的影响，提出利用多缓冲层结构改善
2012-03-07 10:28
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是说，在一定的短路耐受时间（short circuit withstand time SCWT）
2023-05-30 11:27
SiC MOSFET器件的短路耐受能力，在高压和低压应用是有所不同的，在耐受时间上通常在2-7μs范围内。多数规格书标称的短路时间是供应商在评估器件初期，使用单管封装测试的，2-3μs;到模块
2025-09-02 14:56
本文介绍了一种新型抗短路发电机的设计方案，通过Ansoft仿真分析表明该设计方案的可行性。之后又通过实际产品的试验结果验证了该发电机抗短路性能好、宽转速范围内功能特性满
2013-11-20 13:37
