;><strong>设计PCB时抗ESD的方法</strong></font></p&
2009-12-02 16:42
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面，具体如下
2023-02-27 16:03
有没有XDJM可以讲讲关于MOSFET损坏的知识，例如损坏类型（短路，断路等），如何测定MOSFET是损坏的，有没有什么样的电路可以自定探测到MOSFET
2009-07-02 04:08
。什么是雪崩失效本文的关键要点・当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。・发生雪崩击穿时，会流过大电流，存在MOSFET失效的危险。・雪崩失效包括短路造成的失效
2022-07-26 18:06
有没有XDJM可以讲讲关于MOSFET损坏的知识，例如损坏类型（短路，断路等），如何测定MOSFET是损坏的，有没有什么样的电路可以自定探测到MOSFET
2009-07-02 04:09
维护密切相关。就电力系统中变压器抗短路能力的提高的问题进行探讨。一、电力变压器概述电子电力变压器主要是采用电力电子技术实现的，其基本原理为在原方将工频信号通过电力电子电路转化为高频信号，即升频，然后通过
2018-11-21 16:01
短路电阻器：1、规格：半短路电阻器1WS10R;2、安规证书：CQC，UL，VDE；3、认证体系：ISO9000:2008ISO14001:2004；4、特性：①起保护作用，防熔壳，消除安全隐患；②抗
2016-05-30 16:20
小，因此功率MOSFET可以安全工作。 但是，当负载发生短路时，由于回路电阻很小，电池的放电能力很强，所以短路电流从正常工作的几十安培突然增加到几百安培， 在这种情况下，功率
2018-09-30 16:14
第四部份似乎很相似，这样做可行么？问题分析：系统短路的时候，功率MOSFET相当于工作在放大的线性区，降低驱动电压，可以降低跨导限制的最大电流，从而降低系统的短路电流，从短路
2016-12-21 11:39
条件：（1）短路保护的时间要快。（2）功率MOSFET可以在一定的时间内承受大的冲击电流。熟悉IGBT的工程师大多知道在电机控制应用中，IGBT专门有一个参数TSC来评估这个性能。对于MOSFET
2016-08-24 16:02
