在这些和其他新应用中的增长至关重要。在本文中，我们将重点介绍SKpowertech旗下的SiCMOSFET的性能优势，该产品现在包括更广泛的产品组合，其中包括12
2024-07-15 17:01 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
功率器件要得到较高的击穿电压，就必须使用较厚的外延层漂移区与较低的掺杂浓度，常规VDMOS的特征导通电阻与击穿电压关系如下式所示。
2023-09-18 10:18
`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12
简单介绍MOSFET的原理
2022-04-11 19:19
我看mosfet的技术手册，有两个转移特性曲线，但是不知道这两个的区别在哪，为什么不一样？
2015-10-23 20:51
继上一篇超级结MOSFET技术简介后，我们这次介绍下屏蔽栅MOSFET。
2024-12-27 14:52
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 编辑 在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32
功率Mosfet参数介绍 第一部分 最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)
2009-11-21 11:39
碳化硅（SiC）等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比，SiC显著降低了导通和关断损耗，并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明，SiC
2023-02-22 16:34
MOSFET门级电路的深入介绍。
2022-10-24 15:01
