MS-2203: 相比漏电指数与工作电压的关系
2019-09-02 14:49
，来理解这个参数所设定的含义。数据表中漏源击穿电压BVDSS通常定义为漏电流为250uA时漏极到源极的电压，漏极到源极的漏电流表示为IDSS。数据表中标称BVDSS
2016-09-06 15:41
1中的t1），源极电压（VGS）正接近MOSFET的阈值电压，VTH和漏电流为零。因此，在此期间的功率损耗为零。在t2时段，MO
2022-11-16 08:00
讨论如何根据RDS（ON）、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，
2011-08-17 14:18
1 截止频率将内环看作一个采样环节，对外环给定信号进行采样。同理驱动电路对内环给定信号进行采样。为保持环路稳定。外环截止频率
2021-11-16 09:01
何为漏电，在生活中很多产品仪器都会有漏电流。不同的产品的漏电流都不一样，一般漏电流在几uA左右，但是有时候我们刚洗完手的时候触摸产品外壳时可能突然有触电的感觉，那一般为
2021-07-05 06:19
问题1：最近，我们公司的技术专家在调试中发现，MOSFET驱动电压过高，会导致电路过载时，MOSFET中电流过大，于是把降低了驱动电压到6.5V，之前我们都是在12V左
2016-12-21 11:39
位置就可能是漏电位置。侦测阻抗变化就是用电压和电流来反映，下面是三个技术原理： 1、OBRICH和TIVA如上图是一个器件的漏电回路，R1代表漏电点的阻抗，I1代表回路
2019-02-25 17:32
工程师习惯性的认为：如果VGS尖峰电压大于功率MOSFET的阈值电压VTH，下管就会导通，那么上、下管就会产生直通，也就是所谓的Shoot Through，从而导致开关管的损坏。VTH，功率
2016-11-08 17:14
为什么MOSFET只加驱动电压10V左右就开始发热，请各位大神给予意见，谢谢！！
2013-05-16 19:48
