，来理解这个参数所设定的含义。数据表中漏源击穿电压BVDSS通常定义为漏电流为250uA时漏极到源极的电压，漏极到源极的漏电流表示为I DSS 。数据表中标称BVDSS
2023-02-20 17:21
MOSFET自建模工具系统介绍从器件手册中获取MOSFET建模特性曲线Saber软件MOSFET直流特性中漏电流与栅源电压
2017-04-12 20:43
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源电压等于0的时候
2019-04-08 03:57
mosfet没有上电时，mosfet驱动电压很正常，mosfet上电后，mosfet的驱动
2019-03-05 09:53
金鉴出品】新能源汽车SiC MOSFET芯片漏电红外热点定位+FIB解析碳化硅器件的高压高频和高效率的优势，可以突破现有电动汽车电机设计上因器件性能而受到的限制，这是目前国内外电动汽车电机领域研发
2018-11-02 16:25
MS-2203: 相比漏电指数与工作电压的关系
2019-09-02 14:49
常重要的一种工作状态。功率MOSFET的正向截止等效电路（1）：等效电路（2）：说明功率 MOSFET 正向截止时可用一电容等效，其容量与所加的正向
2021-09-05 07:00
常重要的一种工作状态。四、功率MOSFET的正向截止等效电路1）等效电路：2）说明：功率 MOSFET 正向截止时可用一电容等效，其容量与所加的正向
2021-08-29 18:34
，来理解这个参数所设定的含义。数据表中漏源击穿电压BVDSS通常定义为漏电流为250uA时漏极到源极的电压，漏极到源极的漏电流表示为IDSS。数据表中标称BVDSS
2016-09-06 15:41
谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58
